電機電子學‧準備要領

M963010047 發表於 2007-12-22 01:07:22 [顯示全部樓層] 回覆獎勵 閱讀模式 7 3899
電子學是由半導體觀念引出元件特性,從特性方程式產生電路模型,依據模型可做電路分析,再推知系統特性,才有應用與設計。因此,學好電子學的關鍵在於電路分析的技巧,其內容包括:節點分析、迴路分析、等效電路、相依電路分析、雙埠網路參數、弦波定態分析、暫態分析以及平均功率的計算等。這些基礎的加強,會讓您在學習電子學更加事半功倍。

慎選書籍,應考更容易

依照近年來各研究所入學考試題型及各大學電子學授課教材來分析,電子學命題範圍大致可含括在下列常用的教科書之中:

《Microelectronic Circuits》,A. S. Sedra and K. C. Smith著,4th ed.:約60%。
《Electronic Circuit Analysis and Design》,D. A. Neamen著:約佔20%。
《Microelectronics》,J. Millman and A. Grabel著,2nd ed. :約佔5%。
《Electronic Circuits; Analysis, Simulation and Design》,N. R. Malik著:5%。
其它:約佔10%
因此,如果您本科的目標分數設定為40~50分,請將Smith所著的《Microelectronic Circuits》熟讀、題目確實做完,然而,此本教材內容繁多,其中多有敘述冗長、不著重點之處,想要完善準備實屬不易,因此建議可以下列2種做法,作為加強:

找一本內容完備(重點包括上述各大教科書),觀念解說清晰、簡潔的參考書為藍本,輔以歷屆試題為助力,一路K下去,一定會有意想不到的收穫。
Follow補習班的課程及教材,事半功倍。但重點是要找對授課老師,「試聽」和「打聽」是最聰明的做法。
擬妥計劃,循序漸進備考

妥擬讀書計劃:同學可根據念書時間的多寡、教材的種類及份量,將全年分成三階段:
觀念釐清階段:追根究底、努力思考、歸納比較、彙整結論。
增長實力階段:掌握主題、記憶重點、演練題型、旁徵博引。
邁向目標階段:針對學校、重點複習、自我測驗。
疑難立即解決:建議可找個可供諮詢的對象,以免在觀念上有疑問時,百思不解、耗時費力。
資料收集:由於大部分的參考書多有保留,自己關起門來念,難免坐井觀天、淺見寡聞,因此,資料的蒐集是非常必要的工作。建議可報名「建國」的輔考課程,作循環式的複習,不但有老師可問,且資料充足、計劃得宜。通常,暑假七月到九月,「建國」會有較密集的課程開班。在這段時間,以建立觀念為主,一天至少花4個小時去溫習課程內容。十月到二月後,再從頭將課程上過一遍,以此作為重點複習,每天再花2~3小時演練試題。三月至四月中旬,務必釐清所有的觀念,再報名題庫班加強解題能力,但在參加題庫班之前,一定要確定已有清楚的觀念架構,否則只是浪費時間,不會有太多的進展。
即時複習:參加輔考課程的同學,務必在每次上課後立即複習,否則,不但無法加深印象,隨著進度的累進,在學習上也會遇到更多阻礙。
掌握命題重點

在有限的時間裡要想讓分數更高,那麼在複習階段時建議不妨多思考,所念的重點、練習的題目考出的機率高不高,是否還有其它重點尚未加強,如此的自我審視,相信有助成績提升。以下是研究所電子學常見的命題重點:
半導體物理觀念。
限制器、Zener穩壓器分析、整流器。
Diode,BJT、FET放大器,current mirror,differential Amplifier之直流分析及小信號分析(含小信號參數)。
arly effect,channel length modulation effect,body effect之物理意義、大信號及小信號特性表示。
具主動負載(active load)之放大器分析。
類比積體電路分析。
理想運算放大器電路分析及非理想運算放大器特性。
放大器頻率響應(高頻模型,高、低頻極點頻率,時間常數法)。
理想負回授放大器特性、非理想負回授放大器分析及穩定度的問題。
功率放大器分析(最佳偏壓點設計,效率、散逸功率之計算)。
一階、二階濾波器分析(-3dB頻率,頻寬及品質因數的計算與設計)。
正弦波振盪器、史密特觸發器之應用電路及CMOS振盪器分析(振盪頻率,振盪條件之計算與設計)。
數位電子電路(靜態特性:Logic函數、VOH、 VOL、 noise margin、PDQ,fan -out之計算;動態特性:tp、 PD之計算。最常考的邏輯電路為CMOS、NMOS、PTL、Dynamic Logic、DTL、ECL)。
靈活思考,考題迎刃而解

一個電子電路的分析方法絕對不只一個,如何以最簡單、最迅速的方法求得答案,是電路分析技巧的精髓。一個電晶體的小信號模型也不只一個,每一種模型的產生必有其道理,因此,如何選用最適當的模型來分析,是必須釐清的觀念。舉例來說:如BJT與FET都叫電晶體,它們之間是否有相類似之處。對於某些放大器的頻率響應來說,時間常數的求得,真的有那麼複雜嗎?是選錯模型還是等效的技巧不夠?電晶體串串負回授放大器或並串負回授放大器的io到底在集極端(汲極端)還是在射極端(源極端)呢?巴克豪生振盪準則與奈氏準則是什麼關係?若這些問題都能清楚的闡述並解釋,就請信心滿滿的上考場吧!

[ 本帖最後由 max1130 於 2007-12-27 10:18 編輯 ]

已有(7)人回文

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happycat690 發表於 2007-12-22 15:07
正要準備研究所考試的我,但是我又沒有多餘的金錢補習,我想這應該是一份很不錯的參考資料。先謝謝發表主題的大大嚕。
小火鍋 發表於 2007-12-22 16:00
我也是考生 對電子學也很頭痛
感謝大大的分享
poinssetia11 發表於 2007-12-23 01:52
這個文章對我的幫助很大

卸卸大大
abcd10541 發表於 2007-12-24 13:54
謝謝大大的分享唷
:emo 031:
zxcvbnm9389 發表於 2007-12-24 23:51
恩恩恩
好棒的電子書
謝謝大大的提供
cherryblue 發表於 2007-12-25 19:08
感謝大大的分享~~~~:emo 016:
lokae 發表於 2008-1-26 21:26
看完章節內容後
也多多練習題目
這樣有助於解題
還有多注意振盪器及MOS
及TTL的電路分析

[ 本帖最後由 lokae 於 2008-1-26 21:53 編輯 ]
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