三星電子為了鞏固儲存器霸業，制定DRAM 發展藍圖，擘劃製程微縮進度。業界預估15nm可能是DRAM 製程微縮的極限，擔憂三星遭中國業者追上。韓媒etnews 18 日報導，業界消息稱，三星去年開始量產18nmDRAM，目前正研發17nmDRAM，預定今年底完成開發、明年量產。
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與此同時，三星也成立16nmDRAM 開發小組，目標最快2020 年量產。相關人士透露，微縮難度高，2020 年量產時間可能延後。三星從20nm製程（28→25→20），轉進10 nm製程（18→17），縮小線寬（Line－width）的速度明顯放緩。三星尚未成立15nm製程以下的研發團隊，因為由此開始，電流外洩和電容器干擾和情況將更為明顯，需要開發新的材質。
三星設備解決方案部門的半導體實驗室人員Jung Eun－seung 說，為了繼續縮小線寬，必須開發與當前不同的新材質，並提高製程穩定性，以便進入量產。業界人士估計，15 nm或許是製程微縮的極限，未來三星可能難以透過製程微縮拉大與對手差距，並擔憂中國業者急起直追，趕上三星。
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