隨著科技產業持續發展，下一代的快取記憶體也即將面世，綜合外媒《Phone Arena》與《Patently Apple》的報導，IBM 與韓國三星電子（Samsung）已經研發了新一代的記憶體，並表示是目前同類型最快的記憶體，稱為「MRAM」。
作為新非易失性記憶體，MRAM 使用新的非磨損性 STT 自旋轉矩技術，比起目前主流的 NAND 架構，新的 MRAM 擁有約一千倍於 NAND 的讀寫速率，而且所耗功率也較低，如果沒在運作的話所需功率為零。
由於擁有低耗、高讀取性質，MRAM 將會是未來智慧型手機等行動裝置的最佳記憶體選擇，以協助處理器改善過去 NAND 速度上限，並強化處理器的效能。因此未來配備 MRAM 的行動裝置會比現在更快更省電。
外媒認為，新技術有機會於 2018 年後出現於 Apple、三星等龍頭公司產品中。而且據三星公司表示，三星已成功將 MRAM 記憶體嵌入下一代的微型處理器（SoC）中，相關產品將最快於明年現身。 |
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