次世代記憶體大戰開打，英特爾研發「3D cross point」技術，擬推「PRAM」。三星電子不甘示弱，發表「MRAM」（magnetoresistant random access memory，磁阻式隨機存取記憶體），號稱讀寫速度比 NAND Flash 快上一千倍。
fudzilla、IBTimes、南韓經濟日報報導，三星 24 日發表「MRAM」，此種次世代記憶體兼具 NAND Flash 和 DRAM 的優點，無須電源也能儲存資料，而且處理速度極快。三星宣稱，MRAM 是非揮發性記憶體，採用自旋傳輸科技（Spin-torque transfer）讀寫數據，速度比 NAND 快了一千倍。不僅如此，MRAM 更省電，使用時（active）耗電量比傳統記憶體少，停用時（inactive）更無需用電。
目前次世代記憶體包括 MRAM、PRAM、ReRAM，其中 MRAM 速度最快，但是量產難度較高。現在三星只能少量生產，但是預期能盡速克服生產障礙。
三星同時宣布，歐洲大廠恩智浦半導體（NXP Semiconductors）的物聯網半導體將採用 MRAM，雙方簽訂晶圓代工協定，將量產 28 奈米的全耗盡型絕緣層上矽（FD-SOI）。
IBTimes 猜測，倘若三星 MRAM 量產進展順利，或許今年下半問世的 Galaxy Note 8 就會內建 MRAM，以便做出市場區隔。MRAM 用於智慧手機可加快處理速度，並更為省電。
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