https://technews.tw/2017/05/03/samsung-hwaseong-factory-raise-dram-production/
三星電子的南韓華城廠（Hwaseong），即將擴產的傳聞延燒許久。最新消息顯示，三星決定投資 3 兆韓圜（約 26.4 億美元）提升 DRAM 產能。不過由於未來 11 線不再生產 DRAM，產能一增一減之下，應該不至於衝擊 DRAM 供給。
韓媒 etnews 2 日報導，業界消息指出，三星半導體業務部門將擴充華城廠 17 線的 DRAM 產能，生產 10 奈米等級的 DRAM。三星已告知設備廠擴產計畫，並在 3 月向部分業者下單，估計投資金額約為 2.5~3 兆韓圜，完工後每月增產 3.5 萬片 300 公厘的矽晶圓，預定今年下半初步生產。
三星華城廠為綜合晶圓廠，17 線生產 DRAM、11 線生產影像感測器和 DRAM、16-2 線生產 3D NAND flash、S3 線生產 10 奈米系統半導體。
如今 11 線將轉為全數生產影像感測器 CMOS 和 CIS，不再生產 DRAM。三星為了彌補產能損失，決定擴大 17 線的 DRAM 產能。相關人士表示，此一投資是為了彌補 11 線產能縮減和製程微縮損失，對 DRAM 供需幾乎沒有影響。
華城廠投資全數落實後，廠內不再有多餘空間，三星計畫在 17 線旁的停車場，另蓋新廠，考慮用於生產 7 奈米的系統半導體。
在此之前，韓媒不斷猜測華城廠擴產的目的。
（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：shutterstock）
延伸閱讀：
產能怪獸！三星全球最大廠傳 7 月投產 3D NAND
三星擴產用途未定，DRAM 熱未必告終 本帖最後由 fainted 於 2017-5-4 23:20 編輯
|
|
