DIGITIMES Research觀察，2D NAND Flash製程在物理限制下難度加劇，透過3D NAND Flash製程，無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導體記憶體領域延伸的一項重要技術。
3D NAND Flash依記憶元件儲存機制可分浮動閘極(Floating Gate；FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap；CT)；依不同堆疊結構技術又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG等。
在三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)/英特爾(Intel)及海力士(SK Hynix)各陣營陸續突破3D NAND Flash規模的技術障礙後，伴隨大數據、雲端應用、SSD等終端應用強烈需求下，3D NAND Flash技術已成為NAND Flash廠商在容量、效能及成本之間取得平衡的主要發展方向。
目前3D NAND Flash技術可謂百花齊放，然電容耦合效應該如何改善、可靠度該如何提升仍是主導未來3D NAND Flash技術發展的重要關鍵。
3D NAND Flash技術發展藍圖
註：CT指Charge Trap，以電荷缺陷機制儲存資料；FG指Floating Gate，以浮動閘極儲存機制儲存資料。
資料來源：各公司，DIGITIMES Research整理，2017/5 |
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