專為高效能 AI（人工智慧）處理器與伺服器打造的 3D 堆疊 DRAM，傳三星計劃增產 30 倍。
3D DRAM 採用矽穿孔（Through Silicon Via）技術，可將 DRAM 晶片垂直堆疊，由於進出通道加寬，傳輸速度也大幅加快。
南韓媒體 ETnews 引述產業消息報導指出，三星最近向設備供應商訂購新型 20 台熱壓接合封裝機（TCB），這是矽穿孔技術的必要設備，且按理來說，新機具產出是原有機台的 8 倍。新 TCB 機台今年底可就定位，預估屆時三星矽穿孔製程產能將可增加 30 倍之多。
英特爾與 Nvidia 現均朝 AI 積極發展，也都是三星潛在客戶群。除此之外，日前有消息指出蘋果正在開發 AI 專屬晶片，將用以處理臉部與語音辨識等工作，可應用於 iPhone 與 iPad 等裝置，三星顯然已嗅到這股 AI 記憶體的新商機就在不遠處。
