Toshiba、WD開發的64層堆棧512Gb核心容量的TLC快閃記憶體及硬碟已經開始出貨，此前三星、美光、Intel也各自發布了64層堆棧的3D NAND快閃記憶體，而SK Hynix的3D NAND快閃記憶體堆棧層數更多，去年底就推出了48層堆棧的，今年4月份更是首發了72層堆棧快閃記憶體，下一步則是96層堆棧，再往後則是128層堆棧，核心容量可提升至1Tb(238GB) 。此外TLC快閃記憶體現在已經成為市場的主流，明年開始QLC快閃記憶體也要正式進入商業化了，而MLC快閃記憶體恐怕要步SLC快閃記憶體的後路了。
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與其他廠商的3D NAND相比，SK Hynix的3D NAND堆棧層數更多，去年其他廠商還在堆棧32層的時候，他們就做了48層堆棧的了，今年其他廠商是64層堆棧，SK Hynix搞的的是72層堆棧，不過層數雖多，SK Hynix的3D核心容量並不算高，4月份發布的72層堆棧3D核心容量才256Gbit，只是其他家32層堆棧的3D NAND的水平，Toshiba、WD及三星的64層堆棧已經可以做到512Gbit核心容量。
SK Hynix後面不僅會提升堆棧層數，容量也同樣會提升。Tomshardware報導稱他們下一代產品是96層堆棧的，核心容量將提升到512Gbit。當然這也不是終點，原文稱其他韓國SSD廠商（這是說三星？）將推出128層堆棧的3D NAND，核心容量將提升到1Tbit。
快閃記憶體下一步就是QLC，也就是Quad bit per cell（4bit per cell），每個cell單元容納4位元數據，比TLC的3位元數據還多，好處是容量更大，但缺點也跟TLC一樣，都是犧牲了可靠性及寫入性能，因為QLC對訊號的控制要求更嚴格，所需的校驗更多。從這幾年的情況來看，Intel、美光、三星等公司早就在研究QLC了，它從實驗室走入市場只是時間問題，這次的台北電腦展上給出了更具體的訊息，明年的電腦展上就能見到QLC了。
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