隨著台積電宣布全世界第一個 3 奈米製程的建廠計畫落腳台灣南科之後，10 奈米以下個位數製程技術的競爭就正式進入白熱化的階段。台積電的對手三星 29 日也宣布，將開始導入 11 奈米的 FinFET，預計在 2018 年正式投產之外，也宣布將在新一代的 7 奈米製程上全面採用 EUV 極紫外線光刻設備。
根據三星表示，11 奈米 FinFET 製程技術「11LPP (Low Power Plus)」是現今 14 奈米和 10 奈米製程的融合，一方面採用 10 奈米製程 BEOL (後端製程)，可以大大縮小晶片面積。另一方面，也沿用 14 奈米 LPP 製程的部分元素。未來，三星的 11LPP 製程技術將填補 14 奈米與、10 奈米製程之間的空白，號稱可在同等電晶體數量和功耗下，比 14LPP 製程技術提升 15% 的性能，或者降低 10% 的功耗。另外，還可以使得電晶體的密度也有所提升。
至於，三星於 2016 年 10 月開始投產 10 奈米製程技術「10LPE (10nm Low Power Early)」。而目前已經完成研發，達到即將投產的下一代「10LPP (10nm Low Power Plus)」狀態，主要將可協助生產更高規格的智慧型手機晶片。而三星的 14 奈米製程技術部分，則將以主流、低功耗和緊緻型的晶片生產為主。目前，三星還在積極開發增加新一代的 14LPU、10LPU 製程版本。
另外，三星還表示，未來還一路準備了 9 奈米、8 奈米、7 奈米、6 奈米、5 奈米製程技術，其中 7 奈米的 7LPP 版本還將會全面加入 EUV 極紫外光刻設備製程，而且確認將在 2018 年下半年試產。不過，也另有報導表示，在那之前的 2018 年上半年，三星會首先在 8LPP 製程的特定製程上開始使用 EUV。
三星指出，2014 年以來，已經使用 EUV 技術處理了接近 20 萬片晶圓，並取得了豐碩成果。比如 256Mb SRAM 的產品良率已經達到了 80%。而也因為三星有晶圓代工，DRAM，NAND Flash 的製造與生產能力，又在記憶體產品的市佔率上獨佔鰲頭。使得，三星具有雄厚的本錢可以使用 EUV 的設備。但是，這也使得其他競爭廠商產生龐大的成本壓力。因為， EUV 的價值不斐，要能夠有效率的應用以增加收入，這對其他記憶體廠商來說是一件具備壓力的事情。
(首圖來源:三星官方臉書)
