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〔記者洪友芳／新竹報導〕記憶體大廠旺宏電子（2337）昨宣布今年計有四篇論文入選國際電子元件大會（IEDM），成果超越國際記憶體大廠，其中一篇探討3D NAND創新結構的論文更獲得大會評選為「亮點論文」（Highlight Paper），是今年台灣產學研界唯一獲選的重要研究成果，再次凸顯旺宏在先進記憶體的研發實力持續受到國際高度肯定，也顯示旺宏在3D NAND（儲存型）快閃記憶體議題上扮演重要角色。 微電子元件界年度最重要會議─國際電子元件大會IEDM將於12月2日到12月6日在美國舊金山舉行，旺宏電子計有四篇論文入選，其中獲選為IEDM 「亮點論文」的研究成果，主要是揭露一個嶄新的3D NAND記憶晶胞架構，由旺宏獨立研發的平坦垂直渠道型電晶體結構（Single-Gate Vertical Channel, SGVC），相較於其他大廠現有技術，以相同的堆疊層數卻可達到2至3倍的記憶體密度。 旺宏指出，該篇研究成果顯示，旺宏的SGVC只要堆疊16層，其記憶體密度即可達到現行閘極環繞型結構 （Gate All Around, GAA）所堆疊的48層效果。此外，也因記憶晶胞為平坦垂直渠道型電晶體結構，因此可大幅減少幾何效應對於整體電性的敏感度，適合於需要頻繁讀取資料的各式應用，低層數的堆疊也有利於製程良率的提升，對於未來發展高密度、高品質的記憶體提供了一個更具競爭力的方案。 其他入選的三篇技術論文，一篇是藉由電腦模擬的協助，降低3D NAND中相鄰Wordline （WL）的干擾問題，一篇則為探討相變化記憶體所採用選擇器元件（Selector）的材料問題，旺宏研究人員發現，在TeAsGeSi（碲砷鍺矽）四種合成化合物中，若是摻入Se（硒），可促使Selector 具備更佳的電性開關行為，提供了現有相變化記憶體（Phase Change Memory, PCM）所需使用選擇器的一種良好選擇，另一篇則是探究ReRAM元件在高阻態（High Resistance State） 的變化機制。 幾家大廠已少在國際上發表論文，避免研究成果被偷學，旺宏電子仍樂於分享，從2003年起持續於IEDM發表論文，目前發表的論文數已超過60篇，近年來獲選的論文篇數常居台灣之冠，且幾乎每兩到三年就有論文獲選為「亮點論文」，目前累積篇數已達6篇之多，其中2012年更同時有兩篇研究成果入選為「亮點論文」。 今年大會特別推薦的16篇「亮點論文」，所有投稿的台灣企業及學術研究機構中，僅有旺宏電子入選，再次顯示旺宏電子在全球先進記憶體領域的優異競爭實力。 IEDM平均每年約有來自全球約600篇論文投稿，最後經極嚴謹的程序再評選出10個次領域約200篇於會中發表。在記憶體技術次領域，今年僅有25篇入選，旺宏電子在該領域的成果表現，領先各國際級記憶體大廠。今年台灣產學研界獲選的論文總計有17篇（以第一作者統計），包括產業11篇，其中旺宏電子即有4篇入選，學研界6篇。 [url=] [/url] [size=1.1]旺宏董事長吳敏求。（記者洪友芳攝）
本帖最後由 fainted 於 2017-11-30 12:21 編輯
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