根據南韓媒體的報導，南韓記憶體大廠三星已經確認，將會在南韓平澤市興建一座新的半導體工廠，用於擴大 DRAM、NAND Flash 快閃記憶體的產能。之前，南韓媒體《FN News》曾經引用業界人士和平澤市官員說法報導指出，三星電子將召開管理委員會議，決定是否興建第 2 座晶片廠，並於農曆新年後宣布決定。報導指出，總投資額可能約為 30 兆韓圜（約 27.6 億美元）。
而根據《FN News》的進一步報導，目前三星已經在南韓平澤市有了一座大型工廠，這座工廠從 2017 年開始在進行 64 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體顆粒的生產工作。而新工廠暫時名為 P2 Project，就在距離舊工廠不遠處。目前該新工廠的投資額達 30 兆韓圜（約 27.6 億美元），不過暫時不清楚是初步投資金額還是總投資金額。至於會採獨資或者是合資的方式來興建，三星目前也沒有透露更多的消息。
報導進一步指出，現在這座新工廠已經開始建設，而且管道鋪設工程也已經接近尾聲。未來，新工廠完成興建之後，將會擁有同時生產 DRAM、NAND Flash 快閃記憶體的能力。但是目前三星並沒有對外披露具體的生產計畫。外界預估，屆時 DRAM、NAND Flash 快閃記憶體的生產應該會各占產能的一半，而且三星會根據市場的需要進行動態調整，以此來決定 DRAM 或 NAND Flash 快閃記憶體的產能高低。
根據規劃，三星的這一座新工廠將會在 2019 年年底完工。因為，設備的採購和人員的到位也還需要一段時間。因此，三星最遲也要在 2018 年年底決定是生產 DRAM、NAND Flash 快閃記憶體的比例。市場人士認為，目前 NAND Flash 快閃記憶體的缺口不是很大，原有的工廠產能也沒有達到滿載情況，但是 DRAM 市場目前卻處於供不應求的狀態，所以新工廠應該會以 DRAM 為主。這樣的話，只要新工廠完成後投入生產，DRAM 的產能就會得到進一步的提升，紓解當前 DRAM 不足的問題。
(首圖來源:三星官網)
