隨著 28 奈米 Poly/SiON 製程技術成功量產，再加上 2018 年 2 月成功試產客戶採用 28 奈米 High-K/Metal Gate（HKMG）製程技術的產品，試產良率高達 98% 之後，廈門聯芯在 28 奈米節點上的技術快速成熟。這相對於當前代表中國晶圓代工龍頭的中芯，在 28 奈米 HKMG 製程良率一直不如預期的情況下，如果中芯新任聯席首席執行長梁孟松無法改善這樣的情況，並且力求在 14 奈米的製程上有所突破，則中芯在中國的晶圓代工龍頭地位可能面臨不保的情況。
根據中國廈門聯芯積體電路的公告指出，該公司再次取得了技術發展上的新里程碑。也就是說，中國廈門聯芯已於 2018 年 2 月成功試產客戶採用 28 奈米 High-K/Metal Gate 製程技術的產品，而且試產良率高達 98%。使得目前中國廈門聯芯是繼中芯之後，能同時提供 Poly/SiON 和 High-K/Metal Gate 兩種製程技術的廠商。
事實上，中國中芯半導體早在 2016 年 2 月份就宣布 28 奈米 HKMG 製程已經成功進入設計定案階段（tape-out），是中國本土晶圓廠中，首家可同時提供 28 奈米多晶矽（PolySiON）與高介電常數金屬閘極（High-K/Metal Gate，HKMG）製程的廠商。
業界人士指出，因為 HKMG 技術較 PolySiON 困難許多，但可較 PolySiON技術 改善驅動能力、提升晶體管的性能，同時大幅降低閘極漏電量所形成的絕緣層，氧化物厚度也較薄，能進一步可降低晶體管的尺寸。因此，首度被用於 45 奈米製程之後，各大廠在進行製程優化的同時，也都會積極推出 HKMG 製程。
而也因為 HKMG 流程的差異性，在金屬閘極在源極與汲極區之前或之後形成，使得 HKMG 流程分為 IBM 為首的 Gate-first，及英特爾為主的 Gate-last 兩大陣營。不過，因為 Gate-last 要做到與 Gate-first 管芯密度相同，需要較複雜的工序與設計端的調整。因此，包括台積電、格羅方德等大廠都在一開始採 Gate-first 製程，聯電則是採混合式進行。
然而，該項技術發展到後來，都遭遇到 Vt 臨界電壓難以控制，功耗暴增的難解情況。所以，台積電在 2010 年發展 28 奈米製程時，毅然決然改走 Gate-last。到了 2012 年，台積電包含 HKMG 製程的 28 奈米全世代製程技術才進行量產。至於，聯電的部分，則是到 2014 年下半年，才推出 28 奈米 HKMG 製程。
而中國中芯在 HKMG 製程上則是走與台積電、聯電相反的道路。中芯在 28 奈米節點原先走 Gate-last，在 2012 年得到 IBM 的協助，簽訂合作開發協議之後，採取以 Gate-last 與 Gate-first 兼容進行技術開發。不過，不同於先前 40 奈米節點的技術授權方式，而是 IBM 後來同意中芯可就研發成果往更先進製程開發。因此，直到 2016 年 2 月，中芯正式宣布 28 奈米的 HKMG 製程已成功進入設計定案的階段。
但是，就在中芯半導體大力推廣 28 奈米節點製程的同時，2017 年就有外媒點名指出，雖然中芯的 28 奈米處於快速成長階段，但從產品規格來分析，其多偏向中低階的 28 奈米 Ploy/SiON 技術，高階的 28 奈米 HKMG 製程良率一直不如預期。另外，當時德意志銀行還在投資報告中指出，因為中芯的 28 奈米晶圓不論在回報率、價格及毛利上都遇到挑戰。因此，客戶雖然未來 3 年對 28 奈米晶圓需求強烈。但是，中芯國際的 28 奈米晶圓生產緩慢，加上高階技術門檻都讓其生產線缺乏競爭力。
因此，對於這樣的情況，就有業界人士指出，在當前中芯的 28 奈米高階製程發展不順，又廈門聯芯有聯電背後的技術支援，使得技術良率不斷提升。再加上 28 奈米製程為中階手機晶片和高階網路晶片採用的主力製程，聯芯勢必將搶攻中國手機晶片的訂單的情況下，不但廈門聯芯恐分食中芯的市占率。而且，這對中芯來說，廈門聯芯未來將有機會威脅中芯中國晶圓代工的龍頭地位。
（首圖來源：廈門聯芯官網）
