鎖定高階智慧手機儲存需求， WD 推出 96 層 3D NAND UFS 2.1 嵌入式快閃記憶體 iNAND MC EU321

雖然現在中價位智慧手機與旗艦智慧手機的儲存容量看似差異不大，不過魔鬼藏在細節裡，多半廠商不會刻意將記憶體的傳輸規格列出，使得一些手機即便有高階處理器，但在存取 app 的速度仍有較慢的感覺；WD 也宣布推出採用其 96 層 3D NAND 技術的 UFS 2.1 嵌入式快閃記憶體 iNAND MC EU321 ，鎖定高階手機市場需求。

iNAND MC EU321 採用 Western Digital 的 iNAND SmartSLC 5.1 ，並具備 UFS 2.1 介面，具備最高 550MBps 的連續寫入性能，最大容量為 256GB ，可為現在高階手機具備的人工智慧、 AR 、多鏡頭高解析拍攝、 4K 錄影等需求提供更高的存取性能。

這樣以後用手機存取資料的速度竟能更加提升了