韓聯社、東亞日報日文版報導，南韓半導體大廠 SK 海力士（SK Hynix Inc.）於 4 日宣布，已成功研發出較現行 3D 架構 NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）進一步進化的「4D NAND Flash」產品。SK 海力士表示，現行大多數廠商都在 3D NAND 上採用 CTF（Charge Trap Flash，電荷儲存式快閃記憶體），而 SK 海力士則是在 CTF 架構上追加「PUC（Peri Under Cell）」技術，研發出全球首款堆疊 96 層的 512Gb 3bit/cell（Triple Level Cel，TLC）4D NAND Flash 產品。
SK 海力士指出，和現行 72 層 512Gb 3D NAND Flash 相比，4D NAND Flash 的晶片尺寸縮小 3 成，每片晶圓的生產性增至 1.5 倍，讀速、寫速分別提升 30%、25%。
SK 海力士幹部表示，「將在今年內量產 4D NAND Flash，且計劃利用最近完工的清州工廠 M15 產線進行正式量產」。
SK 海力士計劃在今年內發表採用 4D NAND Flash、容量為 1TB 的消費性固態硬碟（SSD）產品。
截至台北時間 5 日上午 10 點 00 分為止，SK 海力士大跌 3.03% 至 70,400 韓圜；SK 海力士上週五（2 日）股價飆漲 6.30%，收 72,600 韓圜，創約一個月來（10 月 1 日以來）新高水準。
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