早些時候 Samsung 正式宣佈，基於第六代 256Gb 3-bit V-NAND 記憶體的硬碟新品已經開始大規模量產。使用新技術的首款產品是 250GB 的 SATA SSD，其搭載的 V-NAND 採用超過 100 層堆疊，寫入和讀取速度分別低於 450 和 45 微秒。和 Samsung 過去 90 層堆疊的 SSD 相比，新一代的產品在效能上加強了 10%，同時功耗也降低了 15%。
據 Samsung 介紹，第六代 V-NAND 距離上一代的更新只過去了 13 個月，量產週期縮短了 4 個月之多。「在實現了尖端 3D 記憶體的大規模量產後，我們就可以及時引入能大幅提升速度、省電水準的記憶體產品。」Samsung 電子解決方案產品開發執行副總裁 Kye Hyun Kyung 這麼說道。除此之外，在新聞稿最後 Samsung 還透露，他們將會在今年下半年推出 512Gb 的 3-bit V-NAND SSD 和 eUFS 新品。
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