晶圓代工大廠格芯（GlobalFoundries）8 日宣布，開發出基於 ARM 架構的 3D 高密度測試晶片，將實現更高水準的性能和功效。由於當前晶片封裝一直是晶片製造中的一個關鍵點，使得在傳統的 2D 封裝技術已經發展到瓶頸之後，半導體製造商們把目光轉向 3D 堆疊技術上。除了看到大量的 3D NAND Flash 快閃記憶體的應用，英特爾和 AMD 也都有提出關於 3D 晶片的研究報告。如今，ARM 和格芯也加入這領域。
格芯指出，新開發出基於 ARM 架構的 3D 高密度測試晶片，是採用格芯的 12 奈米 FinFET 製程所製造，採用 3D 的 ARM 網狀互連技術，允許資料更直接的傳輸到其他內核，極大化的降低延遲性。而這樣的架構，這可以降低資料中心、邊緣運算以及高階消費者應用程式的延遲，並且提升數據的傳輸速度。
格芯強調，新開發出基於 ARM 架構的 3D 高密度測試晶片，可以進一步在每平方公釐上達成多達 100 萬個 3D 的連結，使其具有高度可擴展性，並有望延展 12 奈米製成的壽命。另外，3D 封裝解決方案（F2F）不僅為設計人員提供了異構邏輯和邏輯 / 記憶體整合的途徑，而且可以使用最佳生產節點製造，以達成更低的延遲、更高的頻寬，更小晶片尺寸的目標。
格芯表示，因為當前的 12 奈米製程成熟穩定，因此目前在 3D 空間上開發晶片更加容易，而不必擔心新一代 7 奈米製程所可能帶來的問題。然而，台積電、三星和英特爾能夠在比格芯小得多的節點上開發 3D 晶片，而且也已經相關的報告。而何時推出，就只是時間上的問題。屆時，格芯是否能以較低廉的價格優勢，進一步與其他晶圓生產廠商競爭，就有待後續的觀察。 | 
